近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。
碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體是國家“十四五”規(guī)劃綱要中重點(diǎn)關(guān)注的科技前沿領(lǐng)域攻關(guān)項(xiàng)目，憑借其優(yōu)良的高禁帶寬度、高電子遷移率、高導(dǎo)熱等特點(diǎn)，使得碳化硅模塊具有顯著的高效率、高壓、高工作溫度的優(yōu)勢，在中高端新能源汽車中的應(yīng)用越來越普及。
智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)項(xiàng)目。碳化硅模塊項(xiàng)目以智新半導(dǎo)體封裝技術(shù)為引領(lǐng)，廣泛與中央企業(yè)、高等院校開展合作，從模塊設(shè)計、模塊封裝測試、電控應(yīng)用到整車路試等環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵核心技術(shù)的自主掌控。目前，碳化硅模塊開發(fā)項(xiàng)目已參與國資委專項(xiàng)課題1項(xiàng)，參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定2項(xiàng)。
該碳化硅模塊，采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。
智新半導(dǎo)體成立4年來，已申請受理專利51項(xiàng)，其中發(fā)明專利40項(xiàng)，已授權(quán)專利20項(xiàng)，其中發(fā)明專利11項(xiàng)，并獲得湖北省“高新技術(shù)企業(yè)”認(rèn)證，武漢市專精特新“小巨人”企業(yè)認(rèn)定。
