6月25日，國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆專家委員會年會在獨墅湖畔舉行。為期兩天的會議中，國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)和產(chǎn)業(yè)專家，系統(tǒng)謀劃、共同探討如何持續(xù)提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力。現(xiàn)場，第三代半導(dǎo)體8個細分領(lǐng)域的聯(lián)合研發(fā)中心同時成立。會前，蘇州市委副書記、市長吳慶文會見了中國科學(xué)院院士、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心主任郝躍，中國科學(xué)院院士、南昌大學(xué)副校長江風(fēng)益一行。
第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱點。2006年起，園區(qū)就開始在該產(chǎn)業(yè)上布局。經(jīng)過十幾年的發(fā)力，已成為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資源集聚度最高、產(chǎn)業(yè)化程度最好的區(qū)域之一。目前，園區(qū)已擁有產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)53家，形成了以“設(shè)備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應(yīng)用”為支撐的完整的產(chǎn)業(yè)鏈，并吸引10余位國家級重點人才在園區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。同時，還建設(shè)了加工平臺、測試分析平臺、封裝平臺等一批公共服務(wù)平臺。
去年3月，國家科技部批復(fù)支持在園區(qū)建設(shè)國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。一年多來，這一國家級平臺交出了一份驕人的成績單：引進院士團隊3個、高層次人才近20人，組建了激光顯示等3個領(lǐng)域核心攻關(guān)團隊；材料生長平臺、測試分析平臺能力全面提升，服務(wù)企業(yè)及科研院所超百家；實施省級以上重點研發(fā)計劃3項，部分關(guān)鍵共性技術(shù)指標(biāo)取得突破性進展；與高校院所、科技企業(yè)合作設(shè)立聯(lián)合研發(fā)中心9個，聚焦國家戰(zhàn)略需求開展協(xié)同攻關(guān)；成立3億元天使基金，舉辦了一系列學(xué)術(shù)活動，為產(chǎn)學(xué)研合作和科創(chuàng)成果轉(zhuǎn)化提供有力支撐。
國創(chuàng)中心已組建由六十余名頂尖專家組成的第一屆技術(shù)專家委員會，會議現(xiàn)場為部分專家頒發(fā)聘書。蘇州納米科技發(fā)展有限公司與荷塘創(chuàng)業(yè)投資管理（北京）有限公司簽約成立蘇州荷塘創(chuàng)芯基金，今后將以“金融活水”為產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入強動力。
現(xiàn)場，面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向，8家機構(gòu)和新成立的蘇州荷塘創(chuàng)芯基金簽約，新啟動共建8家聯(lián)合研發(fā)中心，分別為氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心、寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示Led技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心等。
